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JCS7N65SE-S-BR	文件：1.89838 Mbytes Page：16 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highfrequencyswitching modepowersupply Electronicballast LEDpowersupply FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical5pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N65VE-V-BR	文件：1.89838 Mbytes Page：16 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highfrequencyswitching modepowersupply Electronicballast LEDpowersupply FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical5pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP7N65C	文件：362.175 Kbytes Page：11 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF7N65	文件：1.10765 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF7N65F	文件：584.66 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65FM	文件：388.95 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65P	文件：584.66 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65P	文件：1.10759 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSM7N65	文件：666.68 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM7N65C	文件：2.17256 Mbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
FQB7N65C
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
650V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB7N65C供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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