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FTK5N80P	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N80PD	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HFP5N80	文件：665.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HFP5N80	文件：218.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:30nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):2.0Ω(Typ.)@VGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS5N80	文件：207.86 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KSM5N80	文件：1.75684 Mbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF5N80	文件：1.74393 Mbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NJ5N80	文件：551.84 Kbytes Page：5 Pages	5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ5N80A-LI	文件：551.84 Kbytes Page：5 Pages	5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ5N80-BL	文件：551.84 Kbytes Page：5 Pages	5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
FQB5N80
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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