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FQPF50N06	文件：630.28 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF50N06	文件：315.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •PFCstages •LCD&PDPTV •Powersupply •Switch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF50N06L	文件：664.92 Kbytes Page：8 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •32.6A,60V,RDS(on)=0.021Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical24.5nC) •LowCrss(typical90pF) •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF50N06L	文件：277.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.021Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FTK50N06D	文件：489.45 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK50N06DD	文件：261.22 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(60V/50A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK50N06F	文件：228.11 Kbytes Page：7 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK50N06P	文件：1.30672 Mbytes Page：7 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FTK50N06P	文件：228.11 Kbytes Page：7 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GFP50N06	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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详细参数

型号：
FQB50N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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