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SSW4N90AS	文件：349.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SVF4N90DTR	文件：294.66 Kbytes Page：10 Pages	4A,900VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/DisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailored tominimizeon-stateresistance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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详细参数

型号：
FQB4N90TM
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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