FQB34P10中文资料P 沟道 QFET® MOSFET -100V，-33.5A，60mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQB34P10规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•低 Crss（典型值170pF)
• Low switching loss
•100% 经过雪崩击穿测试
• Low switching loss
•175°C最大结温额定值\"
• High reliability
• 175°C maximum junction temperature rating
• High reliability
•-33.5A, -100V, RDS(on)= 60mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -16.75A栅极电荷低（典型值：85nC)
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• Solar / UPS
• Audio / ATX
• Ballast
技术参数
- 制造商编号
：FQB34P10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-33.5
- PD Max (W)
：155
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：60
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：85
- Ciss Typ (pF)
：2240
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
25000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
TO263 |
3200 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
仙童 |
23+ |
TO-263 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
137 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
TO263 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
22+ |
5000 |
询价 | |||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
SOT263 |
3364 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 |
