FQB11N40C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 400 V，10.5 A，530 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性 Features

•10.5 A、400 V、RDS(on) = 530 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 5.25 A
•低栅极电荷（典型值 28 nC)
•低 Crss（典型值 85 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• High Efficiency Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor Correction(PFC)
• Electronic Lamp Ballasts based on Half Bridge Topology