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FQA9N90C_F109中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 9.0 A, 1.4 Ω, TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA9N90C_F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•9A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：45nC)
•低 Crss（典型值14pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliantcompliant
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FQA9N90C_F109
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 900V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：280
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：45
- Ciss Typ (pF)
：2100
- Package Type
：TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
onsemi |
两年内 |
NA |
139 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2023+ |
SMD |
5000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-3P |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2447 |
TO-3P |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 |
