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CED4060AL	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=95mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP4060A	文件：507.03 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP4060A	文件：624.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,17A,RDS(ON)=85mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP4060AL	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP4060AR	文件：524.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. •SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability. •TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP4060L	文件：505.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU4060A	文件：121.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU4060A	文件：404.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CEU4060AL	文件：471.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=75mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=90mW@VGS=5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4060AL	文件：1.00668 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU4060AL	文件：403.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CF4060CT	文件：500.87 Kbytes Page：3 Pages	40AHighPowerSchottkyBarrierRectifier
CHM4060APAPT	文件：198.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT15Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CS4060CT-A	文件：479.69 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier
CX4060	文件：416.72 Kbytes Page：9 Pages	PWMControl2AStep-DownConverter FEATURES -2AOutputCurrent -Upto95Efficiency -4.75Vto18VInputRange -20μAShutdownSupplyCurrent -360kHzSwitchingFrequency -AdjustableOutputVoltagefrom1.22Vto0.85·VIN -Cycle-by-CycleCurrentLimitProtection -ThermalShutdownProtection -FrequencyFoldBackatSho	SICORE SI-CORE CORP.	SICORE
CXDM4060N	文件：844.75 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSILICONN-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
FPI4060
制造商：
EDI
制造商全称：
Electronic devices inc.
功能描述：
MINIBRIDGE 25,40,50 and 60 AMPERE BRIDGE RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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