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FPAB30BH60B中文资料用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 3 系列数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FPAB30BH60B

参数属性

FPAB30BH60B 封装/外壳为27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm);包装为托盘;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:MODULE SPM 600V 30A 27PWRDIP

功能描述

用于单相升压功率因数校正的 PFC SPM® 3 系列
MODULE SPM 600V 30A 27PWRDIP

封装外壳

27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:06:00

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FPAB30BH60B规格书详情

描述 Description

FPAB30BH60B 是一款先进的 PFC SPM® 3 模块,针对消费电子、医疗电子和工业应用提供全功能、高性能升压 PFC(功率因数校正)输入功率电路。 此为单相型号,内建 IGBT 优化栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁、过流关断、热监控和故障报告。 这些模块还具有全波整流器和高性能输出二极管,能够节省更多的空间并且便于安装。

特性 Features

•UL 认证号 E209204 (UL1557)
•包含积分栅极驱动器和保护功能的 600V - 30A 单相升压 PFC
•使用 Al2O3陶瓷基质实现极低热阻
•全波桥式整流器和高性能输出二极管
•内置 NTC 热敏电阻,实现温度监控
•优化实现 20 kHz 开关频率
•绝缘等级: 2500 Vrms(最小)

应用 Application

• 运动控制-家用设备/工业电机

简介

FPAB30BH60B属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FPAB30BH60B功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FPAB30BH60B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Family

    :Boost PFC SPM® Series

  • Type

    :Boost PFC

  • Substrate

    :Ceramic

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :600

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :30

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :2.8

  • RDS(on) (Ω)

    :-

  • Emitter Configuration

    :3 emitter pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :AL203 DBC DIP

  • Package Type

    :DIP-027

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