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FPAB30BH60B	文件：591.89 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FPAB30BH60B；Package：SPMIC-027；PFC SPM 3 Series for Single-Phase Boost PFC 文件：591.89 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FPAB30BH60B	文件：582.52 Kbytes Page：12 Pages	Smart Power Module(SPM짰) for Front-End Rectifier 文件：582.52 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FPAB30BH60B
功能描述：
IGBT 晶体管 SPM for Front-End Rectifier;Motion-SPM
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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