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HAF1009	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF1009L	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF1009S	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HPR1009	文件：46.98 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATEDSIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXSerieswithhighfrequencyisola	CANDD C&D Technologies	CANDD
HPR1009	文件：134.53 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATEDSIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXSerieswithhighfrequencyisola	CANDD C&D Technologies	CANDD
HPR1009C	文件：179.2 Kbytes Page：4 Pages	1.0WATTUNREGULATED,SIPDC/DCCONVERTER DESCRIPTION TheHPR10XXCSeriesusesadvancedcircuitdesignandpackagingtechnologytodeliversuperiorreliabilityandperformance.A170kHzpush-pulloscillatorisusedintheinputstage.Beat-frequencyoscillationproblemsarereducedwhenusingtheHPR10XXCSerieswithhighfrequencyiso	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
IPT-1009	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
IS-1009RH	文件：92.97 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardened2.5VReference	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IS-1009RH	文件：79.67 Kbytes Page：2 Pages	RadiationHardened2.5VReference	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISF1009	文件：342.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FP1009
功能描述：
SILICON SURGE SUPPRESSOR DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FP1009供应商更新时间2025-5-10 10:08:00

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