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HAF1009L	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Description This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over 文件：113.11 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1009L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Intelligent Power Devices	Renesas 瑞萨	Renesas
HAF1009S	文件：113.11 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Description This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over 文件：113.11 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HCX-D1009	文件：330.17 Kbytes Page：2 Pages	For 11.1V 3S Li-ion/Li-Polymer Battery Packs 文件：330.17 Kbytes 页数：2 Pages	BESTECHBesTech Power Co., Ltd 百思特百思特电源有限公司	BESTECH
HPR1009	文件：46.98 Kbytes Page：4 Pages	1.0 WATT UNREGULATED SIP DC/DC CONVERTER DESCRIPTION The HPR10XX Series uses advanced circuit design and packaging technology to deliver superior reliability and performance. A 170kHz push-pull oscillator is used in the input stage. Beat-frequency oscillation problems are reduced when using the HPR10XX Series with high frequency isola 文件：46.98 Kbytes 页数：4 Pages	CANDD	CANDD

技术参数

Nch/Pch：
Pch
Number of channels：
Single
VDSS (V)：
-60
ID (A)：
-40
RDS (ON) (mohm) max. @4V to 4.5V：
50
RDS (ON) (ohm) typ. @4V to 4.5V：
33
RDS (ON) (mohm) max. @8V to 10V：
27
RDS (ON) (ohm) typ. @8V to 10V：
20
Pch (W)：
50
Tsd (°C) typ.：
175
Package Type：
LDPAK(L)
Production Status：
Mass Production

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更多HAF1009L供应商更新时间2025-10-13 10:16:00

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