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FNA40860B2数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

FNA40860B2

参数属性

FNA40860B2 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm);包装为管件;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:IGBT 600V 8A 26PWRDIP MOD

功能描述

智能功率模块 (IPM),运动控制
IGBT 600V 8A 26PWRDIP MOD

封装外壳

26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:40:00

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FNA40860B2规格书详情

描述 Description

FNA40860 是 Fairchild 新开发的 Motion SPM® 45 系列产品,为低功率应用(如空调和冰箱)中的交流电机驱动提供非常紧凑且高性能的逆变器解决方案。 它将低损耗短路额定 IGBT 与优化后的栅极驱动器融合到一个完全隔离的封装中,从而提供一个简单而强大的设计。 内置温度监控 NTC 热敏电阻、高低侧集成欠压锁定功能、及过流保护输入进一步增强了系统的可靠性。 下桥IGBT 的三个独立开放式发射极引脚能够实现三相电流感测。 通过内置自举二极管及专用 VS 引脚,可轻松进行 PCB 布局。

特性 Features

•600V-8A 三相IGBT逆变器(包含用于栅极驱动和保护的控制IC)
•通过内置自举二极管和专用的Vs引脚,可轻松进行PCB布局
•三个独立负直流链路端子,可实现逆变器电流感测应用
•自举运行可实现单接地电源供电
•内置HVIC可实现单接地电源供电
•隔离额定值为2500Vrms/min。

简介

FNA40860B2属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FNA40860B2功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FNA40860B2

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Family

    :SPM® 45 Series

  • Type

    :Inverter

  • Substrate

    :Ceramic

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :600

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :8

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :1.7

  • Emitter Configuration

    :3 emitter pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :Ceramic DIP

  • Package Type

    :CDIP-026

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