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FNA22512A中文资料智能功率模块,1200 V,25A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FNA22512A

参数属性

FNA22512A 封装/外壳为34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:MODULE SPM 1.2KV 25A 34PWRDIP

功能描述

智能功率模块,1200 V,25A
MODULE SPM 1.2KV 25A 34PWRDIP

封装外壳

34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FNA22512A规格书详情

描述 Description

FNA21012A 是一款 Motion SPM® 2 模块,为交流感应、BLDC 和 PMSM 电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块集成经优化的内置 IGBT 栅极驱动,最大限度地降低电磁干扰 (EMI) 和功耗,同时还可提供多种模块内保护功能: 欠压锁定、过流关断、温度感测和故障报告。 内置高速 HVIC 仅需要单电源电压并将逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部 IGBT。 独立负 IGBT 引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。

特性 Features

•UL 认证号 E209204 (UL1557)
•1200 V - 25 A 三相 IGBT 逆变器(包含提供栅极驱动和保护的控制 IC)
•低功耗、额定短路 IGBT
•使用 Al2O3陶瓷基质实现极低热阻
•内置自举二极管和专用 Vs 引脚简化 PCB 布局
•低侧 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流检测
•支持单接地电源
•内置 NTC 热阻用于温度监控和管理
•通过集成感测 IGBT 实现可调过流保护
•隔离额定值为 2500 Vrms / 1 min。

应用 Application

• 运动控制-家用设备/工业电机

简介

FNA22512A属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FNA22512A功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FNA22512A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Family

    :SPM® 2 Series

  • Type

    :Inverter

  • Substrate

    :DBC

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :1200

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :25

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :1.9

  • Emitter Configuration

    :3 emitter pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :AL203 DBC DIP

  • Package Type

    :DIP-034

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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