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FN0608D5

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=60V,ID=60A RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V(typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

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更多FN0608D5供应商 更新时间2024-6-1 14:30:00