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FN0608D5	文件：264.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=60V,ID=60A RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V(typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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FN0608D5

文件：264.39 Kbytes

Page：5 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=60V,ID=60A RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V(typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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深圳市联世界科技有限公司	FN0610004	SARONIX-ECER	24+/25+		1000	原装正品现货库存价优	询价
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更多FN0608D5供应商更新时间2025-7-23 14:30:00

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