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FN0612D5	文件：1.7138 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=60V,ID=140A RDS(ON)=2.1mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=2.7mΩ@VGS=4.5V(Typ.) VeryLowFOMRDS(ON)×Qg LeadFree MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI

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文件：1.7138 Mbytes

Page：4 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=60V,ID=140A RDS(ON)=2.1mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=2.7mΩ@VGS=4.5V(Typ.) VeryLowFOMRDS(ON)×Qg LeadFree MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

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更多FN0612D5供应商更新时间2024-6-9 11:10:00

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