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FN1503D3	文件：1.3618 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features  VDS=30V, ID=30A  RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V(Typ.)  RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V(Typ.)  High Power and current handing capability  Lead free product is acquired  Surface Mount Package Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management 文件：1.3618 Mbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
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