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FN1503D3	文件：1.3618 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=30V,ID=30A RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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FN1503D3

文件：1.3618 Mbytes

Page：4 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=30V,ID=30A RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

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