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FMV06N60E	文件：529.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMV06N60ES	文件：547.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.7±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FTA06N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
H06N60	文件：71.89 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：376.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：494.78 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：331.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHD06N60RA	文件：824.92 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FMV06N60E
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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更多FMV06N60E供应商更新时间2025-6-11 14:00:00

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