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ICS722M	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS722MLF	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS722MLFT	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS722MT	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IPM-C722	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L722	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRF722	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF722	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRF International Rectifier	IRF
IRF722	文件：45.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF722	文件：1.01144 Mbytes Page：3 Pages	400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. Theyarewellsuitedforapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
FMMT722TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
260mV @ 200mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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