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FMMT718QTA

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

DIODES

美台半导体

FMMT718TA

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

FEATURES * 625mW POWER DISSIPATION * IC CONT 2.5A * IC Up To 10A Peak Pulse Current * Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed) * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ. * Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)

文件:183 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

FMMT718TA

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS

Features • BVCEO > -100V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM= -2.5A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:367.43 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

FMMT718TC

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

FEATURES * 625mW POWER DISSIPATION * IC CONT 2.5A * IC Up To 10A Peak Pulse Current * Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed) * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ. * Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)

文件:183 Kbytes 页数:7 Pages

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美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT718QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 50mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23(DN 型)

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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NA
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DIODES
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更多FMMT718QTA供应商 更新时间2025-11-4 11:01:00