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FMMT718QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT718TA	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR FEATURES * 625mW POWER DISSIPATION * IC CONT 2.5A * IC Up To 10A Peak Pulse Current * Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed) * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ. * Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 文件：183 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT718TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS Features • BVCEO > -100V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM= -2.5A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：367.43 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT718TC	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR FEATURES * 625mW POWER DISSIPATION * IC CONT 2.5A * IC Up To 10A Peak Pulse Current * Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed) * Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ. * Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 文件：183 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT718QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23（DN 型）
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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