FMMT717分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FMMT717 |
| 参数属性 | FMMT717 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 2.5A SOT23-3 |
| 功能描述 | SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
440.66 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 13:42:00 |
| 人工找货 | FMMT717价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT717规格书详情
FMMT717属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的FMMT717晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > -12V
• IC = -2.5A Continuous Collector Current
• ICM = -10A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage E.g. -17mV Max @ IC = -100mA.
• RCE(sat) = 72mΩ at 2.5A for a low equivalent on-resistance
• 625mW power dissipation
• hFE characterised up to -10A for high current gain hold-up
• Complementary NPN Type: FMMT617
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
Application
• Gate Driving MOSFETs and IGBTs
• Load switch
• Battery charging
• DC-DC conversion
产品属性
更多- 产品编号：
FMMT717TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，2.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 12V 2.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOT-23 |
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