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MMBT5550	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT5550	文件：475.76 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBT5550	文件：279.47 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBT5550	文件：170.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5550	文件：634.91 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMBT5550	文件：653.69 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT5550	文件：1.21903 Mbytes Page：4 Pages	NPNSilicon NPNSilicon	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5550G	文件：218.34 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors Leadfreeproduct FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5550GH	文件：184.54 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistorsLeadfreeproductHalogen-freetype	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5550L	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FMMT5550TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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