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MBT5550	文件：1.01632 Mbytes Page：7 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT5550MBT5551areavailableinSOT23 package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT5550	文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5550	文件：43.56 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageTransistors Features ●NPNSilicon	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT5550	文件：200.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5550	文件：720.57 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT5550	文件：232.28 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof225mWattsofPowerDissipation •Marking:M1F •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5550	文件：105.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5550	文件：84.77 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTORNPNSILICON HighVoltageTransistor NPNSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5550	文件：74.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN(HIGHVOLTAGETRANSISTOR) NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBT5550	文件：321.46 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageNPNTransistors HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

详细参数

型号：
FMMT5550TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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