FMMT449中文资料NPN Low Saturation Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FMMT449 |
| 参数属性 | FMMT449 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Low Saturation Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 10:28:00 |
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FMMT449规格书详情
描述 Description
这些器件设计为具有高电流增益和低饱和电压，连续集电极电流最高可达2A。采用工艺NB设计。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FMMT449属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FMMT449晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FMMT449
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN Low Saturation Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：Low Saturation Transistor
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 2A
- IC Cont. (A)
：1
- VCEO Min (V)
：30
- VCBO (V)
：50
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：Condition: IC = 1A
- VBE(on) (V)
：Condition: IC = 1A
- hFE Min
：Condition: IC = 500mA
- hFE Max
：Condition: IC = 500mA
- fT Min (MHz)
：Condition: IC = 50mA
- PTM Max (W)
：0.5
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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