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FMI05N60E	文件：575.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMP05N60E	文件：568.93 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMV05N60E	文件：547.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applicati	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
H05N60	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H05N60E	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H05N60F	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
MCU05N60	文件：494.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MCU05N60A	文件：454.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MCU05N60A	文件：339.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MGS05N60D	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzener.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies. •Built–InFreeWheelingDiode •Built–InGateProtecti	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
FMI05N60E
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FMI05N60E	F	22+	T-PACK(L)	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市赛美科科技有限公司	FMI05N60E	FUJI		原厂封装	1000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FMI05N60E	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	FMI05N60E	FUJI/富士电机	23+	N/A	11550	FUJI/富士电机系列在售	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FMI06N60ES	FUJI/富士电机	23+	TO262	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多FMI05N60E供应商更新时间2025-7-12 14:02:00

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