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FMC13N60E	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：332.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMC13N60E	文件：529.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：529.01 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMC13N60ES	文件：333.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：333.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMC13N60ES	文件：594.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：594.48 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMC13N60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 600V-700V	FUJI 富士通	FUJI

更多FMC13N60E供应商更新时间2026-1-23 14:21:00