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LM5818	文件：236.5 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
LM5818	文件：710.81 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
LV5818M	文件：238.89 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
M5818	文件：78.87 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyDiodes SurfaceMountSchottkyDiodes SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES 1.0AMPERES20-60VOLTS Features: LowForwardVoltage FastSwitching LowSwitchingNoise IdealforSurfaceMountedApplication	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MCH5818	文件：40.69 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFET(MCH3339)andaSchottkyBarrierDiode(SBS007M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitc	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MK5818	文件：325.38 Kbytes Page：9 Pages	SPREADSPECTRUMCLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Inputfrequencyrange8to16MHz •Providesmodulatedandunmodulatedclocks •Acceptsaclockorcrystalinput •Providesdownspreadmodulation •Providespowerdownfunction •Reduceelectromagneticinterference(EMI)by 8to16db •Operatingvolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5818SLF	文件：325.38 Kbytes Page：9 Pages	SPREADSPECTRUMCLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Inputfrequencyrange8to16MHz •Providesmodulatedandunmodulatedclocks •Acceptsaclockorcrystalinput •Providesdownspreadmodulation •Providespowerdownfunction •Reduceelectromagneticinterference(EMI)by 8to16db •Operatingvolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5818SLFTR	文件：325.38 Kbytes Page：9 Pages	SPREADSPECTRUMCLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Inputfrequencyrange8to16MHz •Providesmodulatedandunmodulatedclocks •Acceptsaclockorcrystalinput •Providesdownspreadmodulation •Providespowerdownfunction •Reduceelectromagneticinterference(EMI)by 8to16db •Operatingvolta	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MLL5818	文件：142.19 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyRectifiers 1ASurfaceMountSchottkyRectifiers Features •LowprofileinMelf(GL-41)package •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop;Lowleakagecurrent •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
NTE5818	文件：18.54 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierStudMount,FastRecovery,12Amp Description: TheNTE5818throughNTE5825aresiliconfastrecoveryrectifiersinaDO4typepackagehavingatypicalrecoverytimeof150nsprovidinghighefficiencyatfrequenciesto250kHz.TypicalapplicationsincludeDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lo	NTE NTE Electronics	NTE

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