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FJV3114R分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

FJV3114R
厂商型号

FJV3114R

参数属性

FJV3114R 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

文件大小

249.3 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 10:18:00

FJV3114R规格书详情

Description

Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.

Features

• 100 mA Output Current Capability

• Built-in Bias Resistor (R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ)

Application

• Switching, Interface, and Driver Circuits

• Inverters

• Digital Applications in Industrial Segments

FJV3114R属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的FJV3114R晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    FJV3114RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    68 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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