FJV3105R分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FJV3105R |
| 参数属性 | FJV3105R 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
88.69 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Fairchild |
| 中文名称 | 仙童半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 9:09:00 |
| 人工找货 | FJV3105R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJV3105R规格书详情
描述 Description
Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.
特性 Features
• 100 mA Output Current Capability
• Built-in Bias Resistor (R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ)
Application
• Switching, Interface, and Driver Circuits
• Inverters
• Digital Applications in Industrial Segments
产品属性
- 产品编号：
FJV3105RMTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
23+ |
SOT-23 |
64380 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
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24+ |
N/A |
62000 |
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ON |
23+ |
SOT-23 |
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ON/安森美 |
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SMD |
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24+ |
SOT-23 |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
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