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FJV3104R分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

FJV3104R
厂商型号

FJV3104R

参数属性

FJV3104R 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

84.61 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 14:08:00

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FJV3104R规格书详情

Description

Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.

Features

• 100 mA Output Current Capability

• Built-in Bias Resistor (R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ)

Application

• Switching, Interface, and Driver Circuits

• Inverters

• Digital Applications in Industrial Segments

产品属性

  • 产品编号:

    FJV3104RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    68 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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