FJV3102R分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FJV3102R |
| 参数属性 | FJV3102R 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
163.49 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 16:10:00 |
| 人工找货 | FJV3102R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJV3102R规格书详情
Switching Application (Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R1=10KΩ, R2=10KΩ)
• Complement to FJV4102R
产品属性
- 产品编号：
FJV3102RMTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
22+ |
TO23-3 |
30228 |
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Fairchild |
04+ |
TO23-3 |
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2016+ |
SOT-23 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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