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FTC3303I	文件：278.3 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GI3303	文件：286.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GPD-3303D	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPD3303S	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPS-3303	文件：127.58 Kbytes Page：1 Pages	MULTIPLEOUTPUTLINEARD.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 好威仪器股份好威仪器股份有限公司	GWINSTEK
GPS-3303	文件：142.09 Kbytes Page：1 Pages	195WATTLINEAR	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
IIRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR/U3303	文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR/U3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR/U3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303PBF	文件：251.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303PBF	文件：3.86139 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303PBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303TRL	文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303TRLPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3303TRPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
FJE3303TU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 500mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126-3
描述：
TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FJE3303TU供应商更新时间2024-5-13 16:36:00

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