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型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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FJB3307DTM | 丝印:J3307D;Package:D-PAK;High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features • Built-in Diode between Collector and Emitter • Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies 文件:374.98 Kbytes 页数:9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FJB3307DTM | Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1=22KΩ, R2=47KΩ) • Complement to FJN4307R 文件:37.51 Kbytes 页数:4 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 文件:149.44 Kbytes 页数:6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
USB Power Delivery 3.0 Adaptive Source Charging Controller 文件:616.99 Kbytes 页数:21 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号:
FJB3307DTM
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 2A,8A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
5 @ 5A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK(TO-263)
- 描述:
TRANS NPN 400V 8A D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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