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FJB3307DTM

丝印:J3307D;Package:D-PAK;High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

Features • Built-in Diode between Collector and Emitter • Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies

文件:374.98 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJB3307DTM

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

FJN3307R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1=22KΩ, R2=47KΩ) • Complement to FJN4307R

文件:37.51 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FJP3307D

High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor

文件:149.44 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FUSB3307

USB Power Delivery 3.0 Adaptive Source Charging Controller

文件:616.99 Kbytes 页数:21 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FJB3307DTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 2A,8A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 8A D2PAK

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更多FJB3307DTM供应商 更新时间2025-10-10 14:16:00