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| 丝印:J3307D;Package:D-PAK;High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features • Built-in Diode between Collector and Emitter • Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies 文件:374.98 Kbytes 页数:9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | 
详细参数
- 型号:J3307D 
- 功能描述:达林顿晶体管 NPN 700V/8A Built-in Diode 
- RoHS:否 
- 制造商:Texas Instruments 
- 配置:Octal 
- 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 
- VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 
- VEBO:集电极—基极电压 
- 最大直流电集电极电流:0.5 A 
- 最大工作温度:+ 150 C 
- 安装风格:SMD/SMT 
- 封装/箱体:SOIC-18 
- 封装:Reel 
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            更新时间2025-10-31 14:17:00
        
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