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FJB3307DTM

丝印:J3307D;Package:D-PAK;High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

Features • Built-in Diode between Collector and Emitter • Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies

文件:374.98 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    J3307D

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 NPN 700V/8A Built-in Diode

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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更多J3307D供应商 更新时间2025-9-8 14:15:00