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FJB3307D中文资料FJB3307D: High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FJB3307D

参数属性

FJB3307D 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK

功能描述

FJB3307D: High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
TRANS NPN 400V 8A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 17:30:00

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FJB3307D规格书详情

描述 Description

FJB3307D是一款700 V 8 A NPN硅外延平面晶体管。 FJB3307D设计用于高速开关应用,采用业界标准的表面贴装TO-263 (D2PAK)封装,提供设计灵活性以及出色的功耗性能。

特性 Features

高电压能力
高开关速度
宽安全工作范围
集电极和发射极之间内置二极管

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJB3307D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJB3307D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJB3307D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :High Voltage Fast Switching Power Transistor

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 5A

  • IC Cont. (A)

    :8

  • VCEO Min (V)

    :400

  • VCBO (V)

    :700

  • VEBO (V)

    :9

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 5A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 2A

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :80

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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