FHD50N06F中文资料场效应管(MOSFET)数据手册E-CMOS规格书
技术参数
- 制造商编号
：FHD50N06F
- 生产厂家
：E-CMOS
- 漏源电压(Vdss)
：60V
- 连续漏极电流(Id)
：50A
- 功率(Pd)
：29W
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)
：3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs)
：31nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds)
：910pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds)
：30pF@25V
- 工作温度
：-55℃~+175℃@(Tj)
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