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FHD4N60A中文资料场效应管(MOSFET)数据手册E-CMOS规格书

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厂商型号

FHD4N60A

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名称

飞虹高科 飞虹高科股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 14:07:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHD4N60A

  • 生产厂家

    :E-CMOS

  • 漏源电压(Vdss)

    :600V

  • 连续漏极电流(Id)

    :4A

  • 功率(Pd)

    :75W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

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