首页>FHD2N60E>规格书详情

FHD2N60E数据手册E-CMOS中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FHD2N60E

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名称

飞虹高科 飞虹高科股份有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 20:00:00

人工找货

FHD2N60E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :FHD2N60E

  • 生产厂家

    :E-CMOS

  • 漏源电压(Vdss)

    :600V

  • 连续漏极电流(Id)

    :2A

  • 功率(Pd)

    :35W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FH/飞虹
25+
TO-252
37500
原装正品,假一罚十!
询价
飞虹
22+
TO-252
50000
飞虹原厂渠道,技术支持
询价
FeiHong(飞虹)
20+
TO-252-2
75
询价
飞虹
23+
TO-252
46000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
询价
FH飞虹/JRX
23+
TO-252251220
463210
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
FeiHong(飞虹)
2447
TO-252
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
CJIANG(长江微电)
50
询价
CJIANG(长江微电)
24+
con
50
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
询价
DAEWOO
24+
原厂原装
5850
原装正品香港现货库存价格优势!
询价
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价