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FHD120N03C中文资料场效应管(MOSFET)数据手册E-CMOS规格书
技术参数
- 制造商编号
：FHD120N03C
- 生产厂家
：E-CMOS
- 漏源电压(Vdss)
：30V
- 连续漏极电流(Id)
：120A
- 功率(Pd)
：45W
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)
：1.2V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs)
：48nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds)
：3.55nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds)
：120pF@25V
- 工作温度
：-55℃~+175℃@(Tj)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FH |
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SOT-89 |
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FH |
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SOT-89 |
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