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FHD120N03C数据手册E-CMOS中文资料规格书

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厂商型号

FHD120N03C

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名称

飞虹高科 飞虹高科股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:39:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHD120N03C

  • 生产厂家

    :E-CMOS

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 连续漏极电流(Id)

    :120A

  • 功率(Pd)

    :45W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :1.2V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :48nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :3.55nF@25V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :120pF@25V

  • 工作温度

    :-55℃~+175℃@(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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