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FHC582ADN2数据手册FutureWafer中文资料规格书

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厂商型号

FHC582ADN2

功能描述

ESD Device

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:02:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHC582ADN2

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Breakdown Voltage

    :64.4 V.Min

  • Peak Pulse Current

    :43A

  • Junction Capacitance

    :600 pF.Max

  • Configure

    :Uni-Dir

  • Peak Pulse Power

    :4000 W

  • ESD Level

    :30 KV

  • Package

    :DFN2020-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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