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FHD4N60A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FHD4N60A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FIR4N60AALG

600V N-Channel MOSFET

文件:2.98034 Mbytes 页数:9 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR4N60ABPG

600V N-Channel MOSFET

文件:2.98034 Mbytes 页数:9 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR4N60AFG

600V N-Channel MOSFET

文件:3.21726 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    600V

  • 连续漏极电流(Id):

    4A

  • 功率(Pd):

    75W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    4V@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-252
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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FeiHong(飞虹)
20+
TO-252-2
75
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24+
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67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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FEIHONG/飞虹
23+
TO252
10000
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FH/风华高科
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FH/风华高科
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风华高科
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35960
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FH/风华高科
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SOT-23
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FH/风华高科
24+
SOT-23
60000
全新原装现货
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TO-3
139
全新原装 研究所指定供货商
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更多FHD4N60A供应商 更新时间2025-11-3 15:05:00