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FGY160T65SPD_F085 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美

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1+
  • 厂家型号:

    FGY160T65SPD_F085

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    6000

  • 产品封装:

    TO-247

  • 生产批号:

    22+

  • 库存类型:

    热卖库存

  • 更新时间:

    2024-4-27 17:26:00

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原厂料号:FGY160T65SPD_F085品牌:ON

只做原装,低价出货

FGY160T65SPD_F085是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的FGY160T65SPD_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    FGY160T65SPD-F085

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    10 页

  • 文件大小:

    3437.39 kb

  • 资料说明:

    IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 开关能量:

    12.4mJ(开),5.7mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/98ns

  • 测试条件:

    400V,160A,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供应商

  • 企业:

    深圳兆威电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    张先生

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