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FGY160T65SPD-F085

Marking:FGY160T65SPD;Package:TP-247-3LD;IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

Benefits •VeryLowConductionandSwitchingLossesforaHighEfficiency OperationinVariousApplications •RuggedTransientReliability •OutstandingParallelOperationPerformancewithBalanceCurrentSharing •LowEMI Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •VeryLowSaturat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FGY160T65SPD-F085

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:650V FS GEN3 TRENCH IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 开关能量:

    12.4mJ(开),5.7mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/98ns

  • 测试条件:

    400V,160A,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

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更多FGY160T65SPD-F085供应商 更新时间2025-7-15 16:52:00