| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>FGY160T65SPD-F085>芯片详情
FGY160T65SPD-F085 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:FGY160T65SPD-F085品牌:ON(安森美)
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
FGY160T65SPD-F085是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的FGY160T65SPD-F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
FGY160T65SPD-F085
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,160A
- 开关能量:
12.4mJ(开),5.7mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
53ns/98ns
- 测试条件:
400V,160A,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
供应商
相近型号
- FGY4L100T120SWD
- FGY120T65SPD
- FGY4L140T120SWD
- FGY100T65SCDT
- FGY4L160T120SWD
- FGY100T120SWD
- FGY4L75T120SWD
- FGY100T120RWD
- FGY60T120SQDN
- FGWH
- FGY60T120SWD
- FGW85N60RB
- FGY75N60
- FGW84
- FGY75N60SMD
- FGW75XS65D
- FGY75N60SMD-F155
- FGW75XS65C-S31PP
- FGW75XS65CIC
- FGW75XS65C
- FGW75XS65
- FGY75T120SCD
- FGW75XS120C
- FGY75T120SODN
- FGW75XS120
- FGY75T120SQDN
- FGW75N65W-S31PPSC-P2
- FGY75T120SQDN-S
- FGY75T120SWD
- FGY75T95LQDT
- FGY75T95SQDT
- FGW75N65WE
- FGZ40N120WE
- FGW75N65W
- FGZ50N65WD
- FGZ50N65WE
- FGW75N60WQ
- FGZ75N65WE
- FGZ75XS120C
- FGZ75XS65C
- FGW75N60HDS31PPSC-P2
- FH*064NA
- FH*100N03E
- FGW75N60HD75G60HD
- FH*100N07B
- FGW75N60HD
- FH*100N08B
- FGW75N60HCIC
- FH*100N8F6A
- FGW75N60HC



