FGY120T65SPD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
FGY120T65SPD
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
11274
产品封装：
IGBT
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-1 9:13:00

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原厂料号：FGY120T65SPD品牌：ON/安森美

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FGY120T65SPD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装IGBT/TO-247-3的FGY120T65SPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
FGY120T65SPD-F085
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
11 页
文件大小：
481.25 kb
资料说明：
Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGY120T65SPD-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，120A
开关能量：
6.8µJ（开），3.5µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/102ns
测试条件：
400V，120A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 240A 882W TO-247

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
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联系人：
傅小姐
手机：
13378407305
询价：
电话：
0755-83062789
传真：
0755-82550578
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深圳市福田区华强北街道华富路1006号航都大厦10层

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