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RM90N30LDV	文件：446.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=30V,ID=90A RDS(ON)=4.1mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=5.9mΩ(typical)@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation Sp	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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RM90N30LDV

文件：446.88 Kbytes

Page：7 Pages

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=30V,ID=90A RDS(ON)=4.1mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=5.9mΩ(typical)@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation Sp

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

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产品属性

产品编号：
FGPF90N30
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.55V @ 15V，30A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
IGBT 300V 56.8W TO220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FGPF90N30	FAIRCHILD/仙童	17+	TO-220F	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	FGPF90N30	FAIRCHILD	24+	TO-220F	8866		询价
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更多FGPF90N30供应商更新时间2025-7-17 14:00:00

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