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AFGHL75T65SQDT	文件：260.899 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHD	文件：1.26049 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHDT	文件：2.196 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQD	文件：532.54 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQDT	文件：809.35 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop4thgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •MaxJuncti	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SQDT	文件：1.0744 Mbytes Page：11 Pages	http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL75T65LQDT	文件：343.54 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench75A,650V Description Fieldstop4thgenerationLowVce(sat)IGBTtechnologyandFull currentratedcopakDiodetechnology. Features •MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C •PositiveTemperatureCo−efficientforEasyParallelOperating •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(Sat)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL75T65LQDT	文件：405.67 Kbytes Page：4 Pages	TrenchandFieldStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.35V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBQ75T65PEH	文件：781.39 Kbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnachip’sFieldStopTrench IGBTTechnology,whichprovideshighperformance,excellentquality andhighruggedness. Features Highruggednessformotorcontrol VCE(sat)positivetemperaturecoefficient Verysoft,fastrecove	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ75T65PEHTH	文件：781.39 Kbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnachip’sFieldStopTrench IGBTTechnology,whichprovideshighperformance,excellentquality andhighruggedness. Features Highruggednessformotorcontrol VCE(sat)positivetemperaturecoefficient Verysoft,fastrecove	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
FGH75T65UPD
功能描述：
IGBT 晶体管 650V 150A 187W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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