选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
20 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ON/安森美TO-247 |
80000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-3P |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
1605 |
24+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
20 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P |
20 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-247 |
1224 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
8950 |
24+ |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
216 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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FSCTO247 |
800 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO2473 |
6000 |
23+ |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童原厂封装 |
25000 |
2022+ |
100%进口原装正品现货,公司原装现货众多欢迎加微信咨 |
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FGH40N65UFDTU价格
FGH40N65UFDTU价格:¥14.9168品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FGH40N65UFDTU多少钱,想知道FGH40N65UFDTU价格是多少?参考价:¥14.9168。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FGH40N65UFDTU批发价格及采购报价,FGH40N65UFDTU销售排行榜及行情走势,FGH40N65UFDTU报价。
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深圳市金亿隆电子科技有限公司电话07558520737615818751958QQ353296322联系人李小姐
FGH40N65UFDTU FGH40N60SFDTU 仙童原装,大量现货库存热卖
型号:FGH40N60SFDTU 品牌:仙童 描述:IGBTFIELDSTOP600V80ATO-247 RoHS:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 标准包装:150 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT-单路 IGBT类型:场截止 电压-集电
FGH40N65UFDTU中文资料Alldatasheet PDF
更多FGH40N65UFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT
FGH40N65UFDTU功能描述:IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube