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FGH40N60SFDTU分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH40N60SFDTU
厂商型号

FGH40N60SFDTU

参数属性

FGH40N60SFDTU 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

功能描述

IGBT - Field Stop 600 V, 40 A
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

文件大小

815.57 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 20:54:00

FGH40N60SFDTU规格书详情

Description

Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor’s

new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for

Automotive Chargers, Inverter, and other applications where low

conduction and switching losses are essential.

Features

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 40 A

• High Input Impedance

• Fast Switching

• Qualified to Automotive Requirements of AEC−Q101

(FGH40N60SFDTU−F085)

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• Automotive Chargers, Converters, High Voltage Auxiliaries

• Inverters, PFC, UPS

FGH40N60SFDTU属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的FGH40N60SFDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    FGH40N60SFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    1.13mJ(开),310µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/115ns

  • 测试条件:

    400V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

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