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FGH30N6S2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FGH30N6S2

参数属性

FGH30N6S2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 45A 167W TO247

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

177.95 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-17 18:57:00

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FGH30N6S2规格书详情

General Description

The FGH30N6S2, FGP30N6S2, and FGB30N6S2 are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

特性 Features

• 100kHz Operation at 390V, 14A

• 200kHZ Operation at 390V, 9A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°CC

• Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

• Low Conduction Loss

产品属性

  • 产品编号:

    FGH30N6S2

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    55µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    6ns/40ns

  • 测试条件:

    390V,12A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 167W TO247

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